根据设计图制作掩模，以供后续光刻步骤使用。
而IC制造，就是半导体芯片的制造了。
一般，要实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能。
包括了光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。
至于IC封测，就是完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。
IC设计就不提了，苏扬有苹果A6处理器的技术，其中就包括了32nm芯片的设计。
另外，商城挂着的inter酷睿系列，也有45nm——14nm芯片的工艺技术。
而在IC制造中，光刻又是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。
其中的难点和关键点，在于将电路图从掩模上转移至硅片上。
这一过程，目前只能通过光刻，才能最有效地实现。
所以，光刻的工艺水平，往往直接决定了芯片的制程水平和性能水平。
安正国找来技术人员和材料，在苏扬的指导下，这些专业生产芯片的员工，初步了解到这台光刻机的使用流程。
光刻的原理，实际上非常简单。
在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性的光刻胶，再用光线透过掩模照射在硅片表面。
被光线照射到的光刻胶，会发生反应。
此后，再用特定的溶剂洗去被照射或未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。
这和华夏古代的印刷术，实际上有一些相似之处，但光刻技术却比印刷术难了千万倍。
一般的光刻步骤，有气相成底膜、旋转涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜。
接着，就是进行检测，主要是显影检测，让合规的硅片进入后续的蚀刻流程。
所谓蚀刻，便是通过化学或物理的方法，有选择地从硅片表面，除去不需要材料的过程。
完成之后，就能通过特定溶剂，洗去硅片表面残余的光刻胶了。
当然，这是最简易的光刻步骤，在实际生产制造中，比这复杂了上百倍。
从开始光刻，到最后洗去残余的光刻胶，几个步骤，就足足花了三个多小时。
当然，这里面也有一些员工刚刚接触新设备，操作不顺手的因素。
当时间来到下午四点半的时候。
车间内，一片惊喜和欢腾的景象。
“出来了，居然真的做出来了！”
“60nm的电路图，居然真的被我们转移到了硅片上。”
“不可思议啊！全华夏能做60nm芯片的企业，不超过三家，而且全是在18年下半年才刚刚突破的技术，还是在实验室里！做到量产的话，得到今年年底，甚至是明年年初去了。”
“是啊，而我们现在，却拥有了一台可以量产60nm芯片的光刻机，如果操作熟练了，速度提上去，再进行交替光刻，一天至少可以造上数百片12寸的圆晶啊！”
“这是一个突破，了不起的突破，如果我们把这里发生的事情，宣布出去，足以震惊整个华夏，乃至是中央都要被惊动！”
华夏在半导体行业，被压了太多年了。
从上个世纪以来，就一直跟在西方国家的屁股后面跑，说是向人家乞讨技术也不为过。
虽然60nm芯片的量产，和45nm芯片的量产，还有一定的差距。
但是，在工艺水平上，也能证明华夏没比inter等落后太多了。
这是一个十分涨士气的突破。
一旁，刘元龙沉声道：“各位，你们难道没有意识到吗？刚才我们用的，只是这台光刻机最底线的精度！”
这话一出，几名兴奋的家伙，立刻止住了话音，转而张了张嘴巴，眼睛立刻挣得大大的。
“是啊，刚才用的还是最低的精度！”
“没错，往上一个刻度的话，岂不是意味着……45nm甚至32nm的芯片也有可能了？”
“不对，我之前看过一篇学术报告，EUV光刻技术的真正领域，是32nm，不，是22nm以下的领域！”
“22nm以下，这……这也太疯狂了吧。”
“……”
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