光刻机的制造难度主要在于三大关键设备:光源、双工件台、光刻机镜头。
而在光源方面,毫无疑问Z国的世界最强的那个,这个结论从激光武器Z国明显领先M国便能得出。
一个小小的光刻机光源,完全难不倒Z国的科研人员。
双工件台就不太容易了,据说ASML研发的基于磁悬浮平面电机的双工件台产品,其掩模台的运动控制精度做到了2纳米,大大提升了芯片加工的精度和效率。
如此先进的双工件台,外国专家曾傲慢地说:“全世界没有第二家机构能做出来。”
然而仅仅过去五年不到,Z国菁华大学的一个科研团队,研制的运动精度控制在2纳米左右的双工件台,成功通过了整机验收。
关键技术指标达到了国际同类光刻机双工件台技术水平。
双工件台也被Z国人攻克了。
最后就是光刻机镜头,近些年光学镜头领域进步飞速,甚至有家民用卫星公司制造的光学卫星,分辨率就达到了1米、米,地面的航母、军舰、车辆一览无余,甚至可以拍摄正在起飞的飞机,拍摄火箭发射画面,清晰度令人吃惊。
民用光学卫星的表现已如此夸张,军用当然更不得了。
这反映出的,是Z国在光学镜头领域的进步。
光刻机镜头自然也难不倒Z国的科研人员。
所以光源、双工件台、光刻机镜头这三大用于制造光刻机的核心设备,Z国全部掌握。
这也正是ASML公司对Z国放开光刻机销售的原因……严厉的封锁,光刻机领域,只会导致Z国以更快的速度取得突破。
兔子被逼急了,会要你的命。
而Z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平,一方面是市场份额被人牢牢把控;其次走相同的技术路线,会不可避免地会侵犯到ASML的知识产权,引发专利官司。
再加上一些关键设备的禁售。
国产的光刻机发展始终不温不火。
即便如此,为了绕开国外的专利壁垒,Z科院光电所另辟蹊径,研制了一款全新的光刻机——
超分辨纳米光刻机。
这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线,用365纳米近紫外光源,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10~9纳米级别的芯片。
而这款光刻设备,使用的是波长更长、更普通的紫外光,在普通环境下便能完成光刻,意味着国产光刻机使用低成本光源,实现了更高分辨力的光刻。
制造成本只有ASML公司光刻机的几分之一,乃至十几分之一。
技术原理层面的突破,更是相当于别人在开山修路的时候,你打通了一条隧道。
不过超分辨纳米光刻机虽好,却也存在一个较为严重的缺陷。
那就是曝光时间过长。
尤
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